10月25日，应信息科学与技术学院的邀请，著名微电子学家胡正明教授（ChenmingHu）在克立楼三楼报告厅做了题为《为何FinFET将会取代现今使用的集成三极管》的南强讲座。本次南强讲座由信息科学与技术学院副院长郭东辉教授主持。

郭东辉教授简要介绍了胡正明教授的成就，并代表学校向他授予厦门大学南强讲座纪念牌。

Intel公司日前宣布，将会在今年下半年启动的22纳米级微处理器计划中使用FinFET，并且，将此3D三极管技术称为半导体技术领域50年来最为剧烈的变化，此举吸引了全球半导体业者的瞩目。而这个技术是发明人胡正明教授早在十年前，在美国加利福尼亚大学伯克利分校任教时，就已经开始进行FinFET研究。

在本次南强讲座上，胡正明教授深入浅出地介绍了这种22nm 3D晶体管技术与普通三极管的区别：普通三极管漏电流大，功耗大，工艺复杂，而FinFET的出现改善了这些问题，它工艺简单，体积小巧，成为MOSFET发展的新方向。

胡正明教授现任美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学计算机科学技术系兼职教授、中国科学院微电子所荣誉教授、台湾交通大学（新竹）微电子器件荣誉教授；1991-1994年任清华大学（北京）微电子学研究所荣誉教授；他同时也是三大科学院--美国国家工程院院士、中国科学院院士和中国台湾中央研究院院士，并曾任台积电CTO。